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‎Circuitos de Projetos FET simples‎

Relacionados

‎O ‎‎Transistor de Efeito de Campo ou FET‎‎ é um dispositivo de semicondutor terminal de 3 terminais que é usado para alternar cargas DC de alta potência através de entradas de energia insignificantes.‎

O FET vem com algumas características únicas, como uma alta impedância de entrada (nos megohms) e com carregamento quase zero em uma fonte de sinal ou no estágio anterior anexado.‎

‎O FET exibe um alto nível de transcondução (1000 a 12.000 microohms, dependente da marca e das especificações do fabricante) e a frequência máxima de operação da mesma forma é grande (até 500 MHz para algumas variantes).‎


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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 59

‎Neste artigo discutiremos alguns circuitos de aplicação interessantes e úteis usando transistores de efeito de campo. Todos esses circuitos de aplicações apresentados abaixo exploram as altas características de impedância de entrada do FET para criar circuitos e projetos eletrônicos extremamente precisos, sensíveis, de ampla gama.‎

‎Oscilador de ondas da FET Square‎

‎Transistores de efeito de campo ou FETs podem ser facilmente aplicados para a fabricação de circuitos multivibradores astable (AMV). A saída do AMV da configuração FET é uma onda quadrada que inclui uma amplitude quase igual à tensão de alimentação, e apresenta um baixo dreno da bateria. Este circuito gerador de ondas quadradas FET pode ser operado com um fornecimento de bateria de 9V.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 60

‎O consumo de corrente de drenagem é bastante baixo em torno de 360μA. A forma de onda exibe uma simetria extremamente boa que normalmente é alcançada combinando os FETs através do circuito mostrado no lado esquerdo. Os FETs devem ser combinados com base em suas correntes de drenagem equivalentes. A frequência de operação é determinada pelos valores do resistor R3 e do capacitor C1. Os valores mostrados no diagrama produziriam uma frequência de aproximadamente 15kHz.‎

‎Preamplificador de áudio‎

‎Os FETs funcionam muito bem para fazer ‎‎mini amplificadores AF porque são pequenos‎‎, oferece alta impedância de entrada, exige apenas uma pequena quantidade de energia DC, e oferece uma ótima resposta de frequência.‎

‎Amplificadores AF baseados em FET, com circuitos simples, proporcionam excelente ganho de tensão e podem ser construídos pequenos o suficiente para serem acomodados dentro de uma alça de microfone ou em uma sonda de teste AF.‎

‎Estes são frequentemente introduzidos em diferentes produtos entre os estágios em que um impulso de transmissão é necessário e onde os circuitos predominantes não devem ser substancialmente carregados.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 61

‎A figura acima exibe o circuito de um ‎‎amplificador de um estágio único, um transistor‎‎, apresentando os muitos benefícios do FET. O design é um modo de origem comum que é comparável com um‎‎ circuito BJT comum‎‎.‎

‎A impedância de entrada do amplificador é em torno do 1M introduzido pelo resistor R1. O FET indicado é um dispositivo de baixo custo e facilmente disponível.‎

‎O ganho de tensão do amplificador é de 10. A amplitude ideal de sinal de entrada pouco antes do corte de pico do sinal de saída é de cerca de 0,7 volts rms, e a amplitude de saída-tensão equivalente é de 7 volts rms. Com especificações de 100 % de trabalho, o circuito puxa 0,7 mA através da oferta DC de 12 volts.‎

‎Usando um único FET, a tensão do sinal de entrada, a tensão do sinal de saída e a corrente de operação DC podem variar até certo ponto entre os valores fornecidos acima.‎

‎Em frequências entre 100 Hz e 25 kHz, a resposta do amplificador está dentro de 1 dB da referência de 1000 Hz. Todos os resistores podem ser do tipo 1/4 watts. Os capacitores C2 e C4 são embalagens eletrolíticas de 35 volts, e os capacitores C1 e C3 podem ser praticamente qualquer dispositivo padrão de baixa tensão.‎

‎Uma fonte padrão de bateria ou qualquer fonte de alimentação DC adequada funciona extremamente; o amplificador FET também pode ser movido solarmente por um par de módulos solares de silício conectados em série.‎

‎Se desejável, o controle de ganho constantemente ajustável poderia ser implementado substituindo um potencialiômetro de 1 megohm para o resistor R1. Este circuito funcionaria bem como um preamplificador ou como um amplificador principal em muitas aplicações exigindo um impulso de sinal de 20 dB através de toda a gama de música.‎

‎O aumento da impedância de entrada e a impedância moderada da saída provavelmente atenderão à maioria das especificações. Para aplicações de ruído extremamente baixo, o FET indicado pode ser substituído por FET correspondente padrão.‎

‎Circuito amplificador FET de 2 estágios‎

‎O próximo diagrama abaixo exibe o circuito de um amplificador FET de dois estágios que envolve um par de estágios similares acoplados ao RC, semelhante ao discutido no segmento acima.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 62

‎Este circuito FET foi projetado para fornecer um grande impulso (40 dB) a qualquer sinal AF modesto, e poderia ser aplicado individualmente ou introduzido como um estágio em equipamentos que requerem essa capacidade.‎

‎A impedância de entrada do circuito amplificador FET de 2 estágios é em torno de 1 megohm, determinada pelo valor do resistor de entrada R1. Todo o ganho de tensão redondo do design é de 100, embora este número possa desviar relativamente para cima ou para baixo com FETs específicos.‎

‎A maior amplitude de sinal de entrada antes do recorte de pico de sinal de saída é de 70 mV rms, o que resulta na amplitude de sinal de saída de 7 volts rms.‎

‎Em modo funcional completo, o circuito pode consumir cerca de 1,4 mA através da fonte DC de 12 volts, no entanto esta corrente pode mudar um pouco dependendo das características de FETs específicos.‎

‎Não encontramos necessidade de incluir um filtro de dissociação em etapas, uma vez que esse tipo de filtro poderia causar uma redução na corrente de um estágio. A resposta de frequência da unidade foi testada plana dentro de ± 1 dB do nível de 1 kHz, de 100 Hz a mais de 20 kHz.‎

‎Como o estágio de entrada se estende “aberto”, pode haver a possibilidade de hum pegar hum, a menos que este estágio e os terminais de entrada estejam devidamente protegidos.‎

‎Em situações persistentes, R1 poderia ser reduzido para 0,47 Meg. Em situações onde o amplificador precisa criar um carregamento menor da fonte de sinal, o R1 poderia ser aumentado para valores muito grandes até 22 megohms, dado o estágio de entrada blindado extremamente bem.‎

‎Dito isto, a resistência acima desse valor pode fazer com que o valor de resistência se torne o mesmo que o valor de resistência à junção DO FET.‎

‎Oscilador de cristal não ajustado‎

‎Um circuito oscilador de cristal do tipo Pierce, empregando um transistor de efeito de campo único, é mostrado no diagrama a seguir. Um oscilador de cristal do tipo Pierce apresenta o benefício de trabalhar sem um ajuste. Ele só precisa ser anexado com um cristal, em seguida, alimentado com uma fonte DC, para extrair uma saída rf.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 63

‎O ‎‎oscilador de cristal‎‎ não sintonizado é aplicado em transmissores, geradores de relógio, testadores de cristal receptora extremidades dianteiras, marcadores, geradores de sinal RF, observadores de sinal (padrões de frequência secundária) e vários sistemas relacionados. O circuito FET mostrará uma tendência de partida rápida para cristais que são adequados para a sintonia.‎

‎O circuito oscilador não ajustado FET consome cerca de 2 mA da fonte DC de 6 volts. Com esta tensão de origem, a tensão de saída RF de circuito aberto é de cerca de 4% de volts rms tensões de alimentação DC, tanto quanto 12 volts poderiam ser aplicadas, com saída rf correspondentemente aumentada.‎

‎Para descobrir se o ‎‎oscilador‎‎ está funcionando, feche o interruptor S1 e conecte um voltímetro RF nos terminais de saída de RF. Caso um medidor RF não esteja acessível, você pode usar qualquer voltímetro DC de alta resistência apropriadamente desviado através de um diodo de germânio de uso geral.‎

‎Se a agulha do medidor vibrar indicará o funcionamento do circuito e a emissão de RF. Uma abordagem diferente poderia ser, conectar o oscilador com os terminais de Antena e Terra de um receptor CW que poderia ser ajustado com a frequência de cristal, a fim de determinar as oscilações rf.‎

‎Para evitar o funcionamento falho, é fortemente recomendável que o oscilador Pierce trabalhe com a faixa de frequência especificada do cristal quando o cristal é um corte de frequência fundamental.‎

‎Se cristais de tom for empregado, a saída não oscilará na frequência nominal dos cristais, mas com a menor frequência, conforme decidido pelas proporções de cristal. Para executar o cristal na frequência nominal de um cristal de tom, o oscilador precisa ser do tipo sintonizado.‎

‎Oscilador de cristal afinado‎

‎A figura A abaixo indica o circuito de um oscilador básico de cristal projetado para funcionar com a maioria das variedades de cristais. O circuito é ajustado usando lesma ajustável de chave de fenda dentro do indutor L1.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 64

‎Este oscilador pode ser facilmente personalizado para aplicações como em sistemas de comunicação, instrumentação e controle. Pode até ser aplicado como um transmissor alimentado por pulgas, para comunicações ou controle de modelo RC.‎

‎Assim que o circuito ressonante, L1-C1, é ajustado à frequência de cristal, o oscilador começa a puxar em torno de 2 mA da fonte DC de 6 volts. A tensão de saída RF associada é de cerca de 4 volts rms.‎

‎O desenho da corrente de drenagem será reduzido com frequências de 100 kHz em comparação com outras frequências, devido à resistência do indutor utilizada para essa frequência.‎

‎A próxima Figura (B) ilustra uma lista de indutores industriais, sintonizados por lesma (L1) que funcionam muito bem com este circuito oscilador FET.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 65

‎As induções são selecionadas para a frequência normal de 100 kHz, 5 bandas de rádio de presunto e a banda de cidadãos de 27 MHz; no entanto, uma faixa de indutância considerável é cuidada pela manipulação da lesma de cada indutor, e uma faixa de frequência mais ampla do que as bandas sugeridas na tabela poderiam ser adquiridas com cada indutor.‎

‎O oscilador pode ser ajustado à sua frequência de cristal simplesmente girando a lesma para cima/para baixo do indutor (L1) para obter o desvio ideal do voltímetro RF conectado através dos terminais de saída de RF.‎

‎Outro método seria, para ajustar o L1 com um 0 – 5 DC ligado no ponto X: Em seguida, ajuste a lesma L1 até que um mergulho agressivo seja visto na leitura do medidor.‎

‎A instalação de afinação de lesmas oferece uma função precisamente sintonizada. Em aplicações nas quais torna-se essencial ajustar o oscilador frequentemente usando uma calibração resettable, um capacitor ajustável de 100 pF deve ser usado em vez de C2, e a lesma utilizada apenas para corrigir a frequência máxima da faixa de desempenho.‎

‎Oscilador de áudio de mudança de fase‎

‎O oscilador de mudança de fase é na verdade um circuito fácil de resistência-capacitância sintonizado que é apreciado por seu sinal de saída cristalino (sinal mínimo de onda seno de distorção).‎

‎O TRANSIStor de efeito de campo FET é mais favorável para este circuito, pois a alta impedância de entrada deste FET não produz quase nenhum carregamento do estágio RC que determina a frequência.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 66

‎A figura acima exibe o circuito de um oscilador AF de mudança de fase trabalhando com um FET solitário. Neste circuito em particular, a frequência depende do ‎‎circuito de mudança de fase RC de‎‎ 3 pinos (C1-C2-C3-R1-R2-R3) que fornece ao oscilador seu nome específico.‎

‎Para a mudança de fase pretendida de 180° para oscilação, os valores de Q1, R e C na linha de feedback são devidamente escolhidos para gerar um câmbio de 60° em cada pino individual (R1-C1, R2-C2 e R3-C3) entre o dreno e o portão do FET Q1.‎

‎Para conveniência, as capacitâncias são selecionadas para serem iguais em valor (C1 = C2 = C3) e as resistências também são determinadas com valores iguais (R1 = R2 = R3).‎

‎A frequência da frequência de rede (e nesse caso a frequência de oscilação do desenho) nesse caso será f = 1/(10,88 RC). onde f está em hertz, R em ohms, e C em farads.‎

‎Com os valores apresentados no diagrama do circuito, a frequência como resultado é de 1021 Hz (para precisamente 1000 Hz com os capacitores 0,05 uF, R1, R2. e R3 individualmente devem ser de 1838 ohms). Ao jogar com um oscilador de mudança de fase, pode ser melhor ajustar os resistores em comparação com os capacitores.‎

‎Para uma capacitância conhecida (C), a resistência correspondente (R) para obter uma frequência desejada (f) será R = 1/(10,88 f C), onde R está em ohms, f em hertz e C em farads.‎

‎Portanto, com os capacitores 0,05 uF indicados na figura acima, a resistência necessária para 400 Hz = 1/(10,88 x 400 X 5 X 10^8 ) = 1/0,0002176 = 4596 ohms. O 2N3823 FET oferece a grande transcondução (6500 /umho) necessária para o melhor funcionamento do circuito oscilador de mudança de fase fet.‎

‎O circuito puxa cerca de 0,15 mA através da fonte DC de 18 volts, e a saída AF de circuito aberto é de cerca de 6,5 volts rms. Todos os resistores usados no circuito são 1/4-watt 5% avaliados. Os capacitores C5 e C6 podem ser dispositivos úteis de baixa tensão.‎

‎Capacitor eletrolítico C4 é na verdade um dispositivo de 25 volts. Para garantir uma frequência estável, os capacitores Cl, C2 e C3 devem ser de melhor qualidade e cuidadosamente combinados com a capacitância.‎

‎Receptor superregenerativo‎

‎O próximo diagrama revela o circuito de uma forma auto-saciadora de receptor superregenera construído usando um transistor de efeito de campo VHF 2N3823.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 67

‎Usando 4 bobinas diferentes para L1, o circuito detectará e começará a receber rapidamente os sinais de banda de presunto de 2, 6 e 10 metros e possivelmente até mesmo o local de 27 MHz. Os detalhes da bobina estão indicados abaixo:‎

  • ‎Para receber banda de 10 metros, ou banda de 27 MHZ, use L1 = 3,3 uH a 6,5 uH de indutância, sobre uma lesma de núcleo de ferro em pó de cerâmica.‎
  • ‎Para receber banda de 6 metros use L1 = 0,99 uH para indutância de 1,5 uH, 0,04 sobre uma forma de cerâmica e lesma de ferro.‎
  • ‎Para receber o vento L1 de banda amadora de 2 metros com 4 voltas nº 14 de fio nu de 1/2 polegada de diâmetro.‎

‎A faixa de frequência permite especificamente o receptor para comunicações padrão, bem como para o controle do modelo de rádio. Todos os indutores são pacotes solitários de 2 terminais.‎

‎Os indutores de ‎‎27 MHz‎‎ e 6 e 10 metros são unidades comuns e sintonizadas por lesma que precisam ser instaladas em tomadas de dois pinos para plug-in rápido ou substituição (para receptores de banda única, esses indutores podem ser soldados permanentemente sobre o PCB).‎

‎Dito isto, a bobina de 2 metros deve ser ferida pelo usuário, e também deve ser fornecida com um tipo de soquete de base push-in, além de em um receptor de banda única.‎

‎Uma rede de filtros composta (RFC1-C5-R3) elimina o ingrediente RF do circuito de saída do receptor, enquanto um filtro adicional (R4-C6) atenua a frequência de saciar. Um indutor de 2,4 uH apropriado para o filtro RF.‎

‎Como configurar‎

‎Para verificar o circuito superregenera no início:‎
‎1- Conecte fones de ouvido de alta impedância aos slots de saída AF. ‎
‎2- Ajuste o pote de controle de volume R5 ao seu nível de saída mais alto. ‎
‎3- Ajuste o pote de controle de regeneração R2 ao seu limite mais baixo. ‎
‎4- Ajuste o capacitor de ajuste C3 ao seu nível mais alto de capacitação. ‎
‎5- Pressione o interruptor S1. ‎
‎6- Continue movendo o potencialiômetro R2 até encontrar um som de assoante alto em um ponto específico da panela, o que indica a superregeração inicial. O volume deste asso bico será bastante consistente à medida que você ajustar o capacitor C3, no entanto ele deve melhorar um pouco à medida que r2 é movido para cima para o nível mais alto.‎

‎7-Next Ligue a antena e as conexões do solo. Se você encontrar a conexão da antena cessa o asso. Você precisará ajustar este aparador com uma chave de fenda isolada, apenas uma vez para permitir o alcance de todas as faixas de frequência. ‎
‎8- Agora, sintonize os sinais em cada estação, observando a atividade AGC do receptor e a resposta de áudio do processamento da fala. ‎
‎9-O mostrador de ajuste do receptor, montado em C3, pode ser calibrado usando um gerador de sinal AM ligado à antena e aos terminais terrestres. ‎
‎Plug-in fones de ouvido de alta impedância ou voltímetro AF para terminais de saída AF, com cada ajuste do gerador, ajuste C3 para obter o nível ideal de pico de áudio.‎

‎As frequências superiores nas bandas de 10 metros, 6 e 27 MHz poderiam ser posicionadas no local idêntico sobre a calibração C3 alterando as lesmas de parafuso dentro das bobinas associadas, usando o gerador de sinal fixado na frequência correspondente e tendo C3 fixado no ponto necessário perto da capacidade mínima.‎

‎A bobina de 2 metros, no entanto, está sem uma lesma e tem que ser ajustada apertando ou esticando seu enrolamento para alinhamento com a frequência da banda superior.‎

‎O construtor deve ter em mente que o receptor superregenerativo é na verdade um radiador agressivo de energia RF e pode entrar em conflito severamente com outros receptores locais sintonizados na frequência idêntica.‎

‎O aparador de acoplamento da antena, C1, ajuda a fornecer um pouco de atenuação desta radiação RF e isso também pode resultar em uma queda na tensão da bateria para o valor mínimo que, no entanto, gerenciará sensibilidade decente e volume de áudio.‎

‎Um amplificador de radiofrequência alimentado na frente do superregenerator é um meio extremamente produtivo para reduzir a emissão de RF.‎

‎Outro circuito de rádio regenerativo único do FET‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 68
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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 69

‎Medidor de nível de música‎

‎C1 cria uma barreira tampão entre o circuito do medidor de nível e a entrada do sinal de áudio. VR1 é usado para ajustar o sinal de entrada no portão do FET, de modo que este pote funciona como um controle de sensibilidade.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 70

‎A energia de áudio através do dreno FET constrói uma tensão em torno do R2, e é conectada aos retificadors de ondas completas por C3. A corrente desta configuração retificada da ponte flui por meio do medidor, para indicar uma leitura equivalente que é determinada pela potência do sinal de áudio alimentado.‎

‎Esta forma de medidor de nível sensível ou medidor vu é vantajosa para gravar música através de uma escala calibrada que é fornecida através de VR1. Ele pode ser usado da mesma forma para acompanhar o nível de sinais de áudio comumente. O carregamento oferecido pela rede de C1/VR1 será de significância mínima para a maioria dos circuitos de impedância média ou razoavelmente baixa.‎

‎Para causas aparentes, a AF obtida pode ser de uma posição logo após qualquer ganho ou controle de volume nos produtos de som. O local onde a quantidade de sinal é consideravelmente excessiva, um resistor poderia ser posicionado em série com C1. O valor deste resistor depende da tensão do sinal, no entanto, pode-se prever que fique entre 470k e 10 megohm‎

‎Voltmeter ELETRÔNICO DC‎

‎A figura a seguir exibe o circuito de um voltímetro DC eletrônico simétrico com uma resistência de entrada (que inclui o resistor de 1 megohm na sonda blindada) de 11 megohms.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 71

‎A unidade consome cerca de 1,3 mA de uma bateria integrada de 9 volts, B, podendo ficar operacional por longos períodos de tempo. Este dispositivo é especializado em medição de 0-1000 volts em 8 faixas: 0-0.5, 0-1, 0-5, 0-10, 0-50, 0-100,0-500, eO-1000 volts.‎

‎O divisor de tensão de entrada (comutação de faixa), as resistências necessárias consistem em resistores de valor de estoque conectados em série que precisam ser determinados com cautela para obter valores de resistência o mais próximos possível dos valores retratados.‎

‎Caso os resistores do tipo instrumento de precisão sejam obtidos, a quantidade de resistores neste segmento pode ser reduzida em 50%. Ou seja, para R2 e R3, substitua 5 Meg.; para R4 e R5, 4 Meg.; para R6 e R7, 500 K; para R8 e R9, 400 K; para R10 e R11, 50 K; para R12 e R13, 40K; para R14 e R15, 5 K; e para R16 e R17,5 K.‎

‎Este ‎‎circuito de voltmetro DC‎‎ bem equilibrado apresenta quase zero de deriva; qualquer tipo de deriva no FET Q1 é combatida automaticamente com uma deriva de equilíbrio no Q2. As conexões internas de drenagem para fonte dos FETs, juntamente com os resistores R20, R21 e R22, criam uma ponte de resistência.‎

‎Exibir microammetro M1 funciona como o detector dentro desta rede de ponte. Quando uma entrada de sinal zero é aplicada ao circuito eletrônico de voltmeter, o medidor M1 é definido a zero, ajustando o equilíbrio desta ponte usando o potenter R21.‎

‎Se uma tensão DC daqui em diante for dada aos terminais de entrada, causa desequilíbrio na ponte, devido à alteração interna de resistência de drenagem-a-fonte dos FETs, o que resulta em uma quantidade proporcional de deflexão na leitura do medidor.‎

‎O ‎‎filtro RC‎‎ criado por R18 e C1 ajuda a eliminar o zumbido CA e o ruído detectados pela sonda e pelos circuitos de comutação de tensão.‎

‎Dicas preliminares de calibração‎

‎Aplicando tensão zero nos terminais de entrada:‎
‎1 Ligue o S2 e ajuste o potencialiômetro R21 até que o medidor M1 leia zero na escala. Você pode definir o interruptor de alcance S1 para qualquer ponto nesta etapa inicial.‎

‎2- Interruptor de faixa de posição para sua colocação de 1 V. ‎
‎3- Conecte uma fonte DC de 1 volts precisamente medida entre os terminais de entrada. ‎
‎4- Resistor de controle de calibração de ajuste fino R19 para obter uma deflexão precisa em larga escala no medidor M1. ‎
‎5- Tire brevemente a tensão de entrada e verifique se o medidor ainda permanece no ponto zero. Se você não vê-lo, reinicie R21. ‎
‎6- Embaralhe entre as etapas 3, 4 e 5 até ver a deflexão em escala total no medidor em resposta a uma fonte de entrada de 1 V, e a agulha retorna à marca zero assim que a entrada de 1 V for removida.‎

‎O Rheostat R19 não exigirá a configuração repetida assim que os procedimentos acima forem implementados, a menos, é claro, que sua configuração seja de alguma forma deslocada.‎

‎O R21, destinado à configuração zero, pode exigir apenas redefinições pouco frequentes. No caso de resistores de alcance R2 a R17 serem resistores de precisão, esta calibração de alcance único será suficiente; as faixas restantes entrarão automaticamente no intervalo de calibração.‎

‎Um mostrador de tensão exclusivo poderia ser esboçado para o medidor, ou a já presente escala de 0-100 uA poderia ser marcada em volts imaginando o multiplicador apropriado em todos, exceto a faixa de 0-100 volts.‎

‎Voltímetro de alta impedância‎

‎Um voltímetro com uma impedância incrivelmente alta poderia ser construído através de um amplificador transistor de efeito de campo. A figura abaixo mostra um circuito simples para esta função, que pode ser rapidamente personalizado em um dispositivo melhorado.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 72
‎Na ausência de uma entrada de tensão, o R1 preserva o portão FET com potencial negativo, e vr1 é definido para garantir que a corrente de alimentação através do medidor M seja mínima. Assim que o portão FET é fornecido com uma tensão positiva, o medidor M indica a corrente de alimentação.‎‎O resistor R5 só é posicionado como um resistor limitante atual, a fim de proteger o medidor.‎‎Se 1 megohm for usado para R1, e 10 resistores de megohm para R2, R3 e R4 permitirão que o medidor meça faixas de tensão entre cerca de 0,5v a 15v.‎

‎O potencialiômetro VR1 pode ser normalmente 5k‎

‎O carregamento aplicado pelo medidor em um circuito de 15v vai ser uma grande impedância, mais de 30 megohms.‎

‎Switch S1 é usado para selecionar várias faixas de medição. Se 100 uA meter é empregado, então R5 pode ser 100 mil.‎

‎O medidor pode não fornecer uma escala linear, embora a calibração específica possa ser facilmente criada através de um pote e um voltímetro, o que permite que o dispositivo todas as tensões desejadas sejam medidas através dos cabos de teste.‎

‎Medidor de capacitância de leitura direta‎

‎Medir valores de capacitância de forma rápida e eficaz, é a principal característica do circuito apresentado no diagrama do circuito abaixo.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 73

‎Este medidor de capacitância implementa estes 4 intervalos separados de 0 a 0,1 uF 0 a 200 uF, 0 a 1000 uF, 0 a 0,01 uF e 0 a 0,1 uF. O procedimento de trabalho do circuito é bastante linear, o que permite a fácil calibração da escala M1 de 0 a 50 microammetro DC em picofarads e microfarads.‎

‎Uma capacitância desconhecida conectada aos slots X-X posteriormente poderia ser medida diretamente através do medidor, sem a necessidade de qualquer tipo de cálculos ou manipulações de equilíbrio.‎

‎O circuito requer cerca de 0,2 mA através de uma bateria de 18 volts embutida, B. Neste circuito de medidor de capacitância em particular, os fets (Q1 e Q2) são funcionas em um modo multivibrador de drenagem padrão.‎

‎A saída multivibrador, obtida a partir do ralo Q2, é uma onda quadrada de amplitude constante com uma frequência decidida principalmente pelos valores dos capacitores C1 a C8 e resistores R2 a R7.‎

‎As capacitâncias em cada uma das faixas são selecionadas de forma idêntica, enquanto o mesmo é feito para a seleção de resistências também.‎

‎Um 6-pole. 4 posições. o interruptor rotativo (S1-S2-S3-S4-S5-S6) escolhe os capacitores e resistores multivibradores apropriados, juntamente com a combinação de resistência do circuito de medidor necessária para fornecer a frequência de teste para uma faixa de capacitância selecionada.‎

‎A onda quadrada é aplicada ao circuito do medidor através do capacitor desconhecido (conectado através dos terminais X-X). Você não precisa se preocupar com qualquer ajuste de zero metro; uma vez que a agulha do medidor pode eb esperado para descansar no zero, desde que um capacitor desconhecido não esteja conectado em ranhuras X-X.‎

‎Para uma frequência de onda quadrada selecionada, a deflexão da agulha do medidor gera uma leitura diretamente proporcional ao valor da capacitância desconhecida C, juntamente com uma resposta agradável e linear.‎

‎Assim, se na calibração preliminar do circuito for implementado usando um capacitor de 1000 pF precisamente identificado ligado aos terminais X-X, e o interruptor de gama posicionado para a posição B, e o pote de calibração R11 ajustado para obter uma deflexão exata em escala total no medidor M1, então o medidor irá, sem dúvida, medir o valor de 1000 pF em sua deflexão em escala completa.‎

‎Uma vez que o ‎‎circuito do medidor de capacitância‎‎ proposto fornece uma resposta linear ao seu, espera-se que os 500 pF possam ser lidos em torno de metade da escala do mostrador do medidor, 100 pF em escala 1/10, e assim por diante.‎

‎Para as 4 faixas da medição de ‎‎capacitância‎‎, a frequência multivibrador pode ser alternada para os seguintes valores: 50 kHz (0-200 pF), 5 kHz (0-1000 pF), 1000 Hz (0-0,01 uF) e 100 Hz (0-0.1 uF).‎

‎Por essa razão, os segmentos de switch S2 e S3 trocam os capacitores multivibradores por conjuntos equivalentes em uníssono com as seções de switch S4 e S5 que alternam os resistores multivibradores através de pares equivalentes.‎

‎Os capacitores determinantes de frequência devem ser combinados com o capacitão em pares: C1 = C5. C2 = C6. C3 = C7 e C4 = C8. Da mesma forma, os resistores que determinam a frequência devem ser acompanhados de resistência em pares: R2 = R5. R3 = R6 e R4 = R7.‎

‎Os resistores de carga R1 e R8 no dreno FET também devem ser adequadamente combinados. Os potes R9. R11, R13 e R15 que são utilizados para a calibração devem ser tipos de escutas; e como estes são ajustados apenas para a finalidade da calibração, eles poderiam ser instalados dentro do gabinete do circuito, e fornecidos com eixos ranhumados para permitir o ajuste através de uma chave de fenda.‎

‎Todos os resistores fixos (R1 a R8. R10, R12. R14) deve ser avaliado em 1 watt.‎

‎Calibração Inicial‎

‎Para iniciar o processo de calibração, você precisará de quatro capacitores perfeitamente conhecidos, muito baixos, tendo os valores: 0,1 uF, 0,01 uF, 1000 pF e 200 pF,1-Mantendo‎
‎ o interruptor de gama na posição D, insira o capacitor 0.1 uF para os terminais X-X. ‎
‎2-Switch ON S1.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 74

‎Uma placa de medidor distinta pode ser sorteada, ou os números podem ser escritos no mostrador de fundo de microametro existente para indicar faixas de capacitância de 0-200 pF, 0-1000 pF, 0-0,01 uF e 0-0 1 uF.‎

‎À medida que o medidor de capacitância é usado mais adiante, você pode sentir que é necessário anexar um capacitor desconhecido aos terminais X-X liguem ON S1 para testar a leitura de capacitância no medidor. Para maior precisão, é aconselhável incorporar o alcance que permitirá a deflexão ao redor da seção superior da escala do medidor.‎

‎Medidor de força de campo‎

‎O ‎‎circuito FET abaixo‎‎ foi projetado para detectar a força de todas as frequências dentro de 250 MHz ou pode ser ainda maior às vezes.‎

‎Uma pequena vara de metal, vara, antena telescópica detecta e recebe a energia de radiofrequência. O D1 retifica os sinais e fornece uma tensão positiva para o portão FET, sobre R1. Este FET funciona como um amplificador DC. O pote “Set Zero” pode ser qualquer valor entre 1k e 10k.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 75

‎Quando nenhum sinal de entrada RF está presente, ele ajusta o potencial de portão/fonte de uma forma que o medidor exibe apenas uma pequena corrente, que aumenta proporcionalmente dependendo do nível do sinal RF de entrada.‎

‎Para obter maior sensibilidade, um medidor de 100uA poderia ser instalado. Caso contrário, um medidor de baixa sensibilidade como 25uA, 500uA ou 1mA também pode funcionar muito bem, e fornecer as medidas necessárias de resistência rf.‎

‎Se o ‎‎medidor de força de campo‎‎ for necessário para testar apenas para VHF, um estrangulamento VHF precisará ser incorporado, mas para aplicação normal em torno de frequências mais baixas, um estrangulamento de ondas curtas é essencial. Uma indução de aproximadamente 2,5mH é fazer o trabalho para até 1,8 MHz e frequências mais altas.‎

‎O circuito do medidor de força de campo FET poderia ser construído dentro de uma caixa de metal compacta, com a antena estendida fora do gabinete, verticalmente.‎

‎Durante o funcionamento, o dispositivo permite ajustar um amplificador final do transmissor e circuitos aéreos, ou o realinhamento de viés, unidade e outras variáveis, para confirmar a saída irradiada ideal.‎

‎O resultado dos ajustes pode ser testemunhado através da deflexão acentuada para cima ou mergulhando na agulha do medidor ou a leitura no medidor de força do campo.‎

‎Detector de Umidade‎

‎O circuito FET sensível demonstrado abaixo reconhecerá a existência de umidade atmosférica. Enquanto a almofada de sentido estiver livre de umidade, sua resistência será excessiva.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 76

‎Por outro lado, a presença de umidade na almofada diminuirá sua resistência, portanto, o TR1 permitirá a condução da corrente por meio de P2, fazendo com que a base de TR2 se torne positiva. Esta ação ativará o relé.‎

‎Vr1 torna possível o realinhamento do nível onde o TR1 liga e, portanto, decide a sensibilidade do circuito. Isso pode ser fixado a um nível extremamente alto.‎

‎O pote VR2 permite ajustar a corrente coletora, para garantir que a corrente através da bobina de relé seja muito pequena durante os períodos em que a almofada de sensoriamento estiver seca.‎

‎TR1 pode ser o 2N3819 ou qualquer outro FET comum, e TR2 pode ser um BC108 ou algum outro transistor NPN comum de alto ganho. A almofada de sentido é rapidamente produzida a partir de 0,1 em ou 0,15 em circuito perfurado de matriz PCB com folha condutora através das fileiras de orifícios.‎

‎Uma placa de 1 x 3 polegadas é adequada se o circuito for usado como detector de nível de água, no entanto uma placa de tamanho mais substancial (talvez 3 x 4 polegadas) é recomendada para permitir a ‎‎detecção de umidade‎‎ FET, especialmente durante a estação chuvosa.‎

‎A unidade de aviso pode ser qualquer dispositivo desejado, como uma luz de indicação, sino, campainha ou oscilador de som, e estes podem ser integrados dentro do gabinete, ou posicionados externamente e ser ligados através de um cabo de extensão.‎

‎Regulador de tensão‎

‎O simples regulador de tensão FET explicado abaixo oferece uma eficiência razoavelmente boa usando um número menor de peças. O circuito fundamental é demonstrado abaixo (topo).‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 77

‎Qualquer tipo de variação na tensão de saída induzida por uma alteração na resistência à carga altera a tensão da fonte do portão do f.e.t. via R1 e R2. Isso leva a uma mudança de contra-ataque na corrente de drenagem. A razão de estabilização é fantástica (‎‎≈‎‎ 1000), porém a resistência à saída é bastante alta R0> 1/(YFs > 500Ω) e a corrente de saída é realmente mínima.‎

‎Para derrotar essas anomalias, o ‎‎circuito regulador de tensão‎‎ inferior melhorado pode ser utilizado. A resistência à saída é tremendamente diminuída sem comprometer a razão de estabilização.‎

‎A corrente máxima de saída é restrita pela dissipação admissível do último transistor.‎

‎Resistor R3 é selecionado para criar uma corrente quiescente de um par de mA em TR3. Uma boa configuração de teste aplicando os valores indicados, causou uma alteração inferior a 0,1 V mesmo quando a corrente de carga foi variando de 0 a 60 mA a 5 V de saída. O impacto da temperatura na tensão de saída não foi examinado, porém poderia ser mantido sob controle através da seleção adequada da corrente de drenagem do f.e.t.‎

‎Misturador de áudio‎

‎Às vezes, você pode estar interessado em desvanecer ou desvanecer ou ‎‎misturar alguns sinais de áudio‎‎ em níveis personalizados. O circuito apresentado abaixo pode ser usado para realizar este propósito. Uma entrada em particular está associada ao soquete 1, e a segunda ao soquete 2. Cada entrada foi projetada para aceitar impedâncias altas ou outras, e possui controle de volume independente VR1 e VR2.‎

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‎Resistores R1 e R2 oferecem isolamento dos potes VR1 e VR2 para garantir que uma configuração mais baixa de um dos potes não aterra o sinal de entrada para o outro pote. Tal configuração é apropriada para todos os aplicativos padrão, usando microfones, pick-up, sintonizador, celular, etc.‎

‎O FET 2N3819, bem como outros FETs de áudio e de uso geral funcionarão sem problemas. A saída deve ser um conector blindado, através de C4.‎

‎Controle de tom simples‎

‎Os controles de tom de música variável permitem a personalização de áudio e música de acordo com a preferência pessoal, ou permitem que certa magnitude de compensação aumente a resposta geral da frequência de um sinal de áudio.‎

‎Estes são inestimáveis para equipamentos padrão que muitas vezes são combinados com unidades de entrada cristalina ou magnética, ou para rádio e amplificador, etc., e que não possuem circuitos de entrada destinados a tal especialização musical.‎

‎Três circuitos de controle de tom passivo diferentes são demonstrados na Figura abaixo.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 79
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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 80

‎Esses desenhos podem ser feitos para trabalhar com um estágio de pré-amplificador comum, como mostrado em A. Com estes módulos passivos de controle de tom pode haver uma perda geral de áudio causando alguma redução no nível do sinal de saída.‎

‎Caso o amplificador em A inclua ganho suficiente, um volume satisfatório ainda pode ser alcançado. Isso depende do amplificador, bem como de outras condições, e quando se presume que um preamplificador possa restabelecer o volume. Na fase A, vr1 funciona como o controle de tom, frequências mais altas é minimizada em resposta ao seu limpador viajando em direção ao C1.‎

‎Vr2 é conectado para formar um controle de ganho ou volume. R3 e C3 oferecem viés de origem e by-passing, e R2 funciona como a carga de áudio de drenagem, enquanto a saída é adquirida a partir de C4. R1 com C2 são usados para desacoplamento da linha de alimentação positiva.‎

‎Os circuitos podem ser alimentados a partir de uma fonte DC de 12v. O R1 pode ser modificado se necessário para maiores tensões. Neste e nos circuitos relacionados você encontrará latitude substancial na seleção de magnitudes para posições como C1.‎

‎No circuito B, vr1 funciona como um controle de corte superior, e VR2 como o controle de volume. C2 é acoplado ao portão em G, e um resistor de 2,2 M oferece a rota DC através do portão para linha negativa, as peças restantes são R1, R2, P3, C2, C3 e C4 como em A.‎

‎Os valores típicos para B são:‎

  • C1 = 10nF
  • VR1= 500k linear
  • ‎C2 = 0,47uF‎
  • ‎VR2 = log de 500k‎

‎Outro controle de corte superior é revelado em C. Aqui, R1 e R2 são idênticos ao R1 e R2 de A.‎

‎C2 de A sendo incorporado como em A. Ocasionalmente este tipo de controle de tom poderia ser incluído em um estágio pré-existente sem praticamente nenhum obstáculo para a placa de circuito. C1 em C pode ser de 47nF, e VR1 25k.‎

‎Magnitudes maiores poderiam ser experimentadas para VR1, no entanto, isso poderia resultar em uma grande seção da gama audível de VR1 consumir apenas uma pequena parte de sua rotação. C1 poderia ser feito mais alto, para fornecer corte superior aprimorado. Os resultados obtidos com diferentes valores de peças são afetados pela impedância do circuito.‎

‎Rádio FET Diode Único‎

‎O próximo circuito FET abaixo mostra um simples ‎‎receptor de rádio diodo amplificado‎‎ usando um único FET e algumas partes passivas. VC1 pode ser um típico tamanho 500 pF ou capacitor de afinação gang idêntico; ou um pequeno aparador no caso de todas as proporções precisarem ser compactas.‎

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‎A bobina da antena de ajuste é construída usando 50 voltas de 26 swg a fio de 34 swg, sobre uma haste de ferrite. ou pode ser resgatado de qualquer receptor de onda média existente. O número de enrolamentos permitirá a recepção de todas as bandas de MW próximas.‎

‎Receptor de Rádio TRF MW‎

‎O próximo ‎‎circuito de rádio TRF MW ‎‎relativamente abrangente pode ser construído usando apenas um cupê de FETs. Ele foi projetado para fornecer uma recepção decente para fones de ouvido. Para um alcance mais longo, um fio de antena mais longo poderia ser conectado com o rádio, ou então ele poderia ser utilizado com menor sensibilidade, dependendo da bobina da haste ferrite apenas para a captação de sinal MW próxima. TR1 funciona como o detector, e a regeneração é obtida através de toques na bobina de ajuste.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 82

‎A aplicação da regeneração aumenta significativamente a seletividade, bem como a sensibilidade a transmissões mais fracas. O potencialiômetro VR1 permite o realinhamento manual do potencial de drenagem do TR1, e assim funciona como um controle de regeneração. A saída de áudio do TR1 está conectada com TR2 por C5.‎

‎Este FET é um amplificador de áudio, dirigindo os fones de ouvido. Um fone de ouvido completo é mais adequado para ajuste casual, embora telefones de aproximadamente 500 ohms DC resistência, ou cerca de 2k impedance, fornecerão excelentes resultados para este rádio FET MW. No caso de um mini fone de ouvido ser desejado para a escuta, este pode ser um dispositivo magnético moderado ou de alta impedância.‎

‎Como fazer a Bobina da Antena‎

‎A bobina da antena de ajuste é construída usando cinquenta voltas de fio super esmaltado de 26swg, sobre uma haste ferrite padrão com um comprimento de cerca de 5in x 3/8in. Caso as curvas sejam enroladas sobre um tubo de cartão fino que facilita o deslizamento da bobina na haste, pode tornar possível o ajuste da cobertura da banda de forma ideal.‎

‎O enrolamento começará em A, o toque para a antena pode ser extraído no ponto B que é em torno de 25 voltas.‎

‎O ponto D é o terminal final aterrado da bobina. A colocação mais eficaz do toque C dependerá bastante do FET selecionado, da tensão da bateria e se o receptor de rádio será combinado com um fio aéreo externo sem uma antena.‎

‎Se o toque C estiver muito perto do final D, então a regeneração deixará de iniciar, ou será extremamente ruim, mesmo com VR1 virado para a voltagem ideal. No entanto, ter muitas voltas entre C e D, levará à oscilação, mesmo com VR1 um pouco girado, fazendo com que os sinais se enfraquecam.‎

‎Circuitos de Viés JFET‎

‎O JFET pode ser usado em circuitos digitais e também em circuitos lineares. Quando é usado em um amplificador analógico de baixa distorção, o JFET deve ser controlado em sua região linear, permitindo um viés reverso em seu portão em relação à sua fonte.‎

‎Você encontrará três métodos populares de viés JFET: auto, offset e corrente constante.‎

‎JFET Auto-tendencioso‎

‎Auto-viés pode ser testemunhado na figura abaixo.‎

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‎O portão do JFET pode ser visto aterrado por meio do resistor RG, e a fonte é aterrada pelo resistor Rs. Qualquer corrente que passar para Rs fará com que a fonte seja positiva em relação ao seu portão, o que significa que o portão será perfeitamente invertido.‎

‎Caso a corrente de drenagem (ID) exija ser fixada em 1 miliampere, e sabemos que é necessário um mínimo de tensão de viés porta-a-fonte (VGS) de -2,2 volts, o valor preciso do resistor de origem (Rs) deve ser estabelecido.‎

‎Você pode obter o viés certo através de um resistor de 2k2 ohm. Usando a lei Ohms, descobrimos que se um 2.2 V se desenvolver através do resistor 2k2, permitirá o fluxo de 1 mA corrente. Quando a corrente de drenagem cai, a tensão de viés de porta para fonte também cai. Devido a isso, a corrente de drenagem aumenta e equilibra a diferença original.‎

‎Portanto, o viés JFET pode ser auto-regulação usando um feedback negativo. O viés de fonte de portão necessário para estabelecer uma corrente de drenagem preferencial pode diferir extensivamente mesmo entre JFET semelhantes em circuitos reais. Assim, o único método garantido para fixar uma corrente de drenagem exata seria selecionar um resistor de origem por experimentação ou fazer uso de um potencialiômetro.‎

‎Não importa exatamente como ele é implementado, o auto-viés funciona bem para a maioria das aplicações práticas, e ele usa apenas algumas partes externas para o seu trabalho. É por isso que o método de auto-viés continua a ser o método mais utilizado, para viés de um JFET.‎

‎Viés de deslocamento‎

‎A segunda técnica de viés é o viés de deslocamento, que pode ser visto descrito na figura abaixo.‎

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‎Ele fornece um viés de portão muito mais melhorado em comparação com o auto-viés. Neste conceito, a tensão na junção R1 e R2 é empregada como um viés positivo fixo no portão do JFET, através de um RD resistor. A tensão disponível na fonte torna-se a mesma que essa tensão de viés menos o valor negativo do viés da fonte do portão.‎

‎Como resultado, se a tensão positiva do portão for grande o suficiente no que diz respeito ao viés de fonte do portão, a corrente de drenagem pode ser manipulada predominantemente através de Rs e tensão do portão. Isso pode não ser significativamente afetado por modificações do viés de fonte de portão entre JFET’s específicos. O viés de deslocamento permite que a corrente de drenagem seja estabelecida corretamente, eliminando a necessidade de seleção de resistor específico para a operação. Efeitos comparáveis podiam ser vistos simplesmente aterrando o portão e conectando a extremidade inferior do resistor de origem com uma alta tensão negativa, como demonstrado na Fig. 5 -b.‎

‎Viés constante de corrente‎

‎A ideia de base do 3º JFET, que é o viés de corrente constante, pode ser vista abaixo.‎

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‎Aqui, o resistor na fonte do JFET é substituído pelo transistor bipolar NPN Q2, que é organizado como uma fonte de corrente constante. Como resultado, garante o fornecimento para a corrente de drenagem. A corrente constante é definida pela tensão base do Q2, que é fixada através dos resistores R1 e R2 e resistor de tensão R2 E resistor do emissor R3.‎‎O resistor R2 também pode ser alterado com um diodo Zener ou alguma outra referência de tensão. Portanto, dentro deste circuito de viés, a corrente de drenagem não depende das especificações do JFET, o que resulta em uma grande estabilidade do viés do dispositivo.‎‎No entanto, esse aprimoramento específico é adquirido ao custo de peças extras. Nos 3 esquemas de viés, o resistor RG pode ter praticamente qualquer valor aproximadamente até 10 M. Essa restrição é imposta devido à queda de tensão sobre o resistor, causada por correntes de vazamento do portão, o que poderia criar problemas para as condições de viés do dispositivo.‎

‎Circuitos de seguidores de origem‎

‎Transistores JFET quando usados em amplificadores lineares são geralmente construídos com uma configuração de fonte comum ou de drenagem comum (seguidor de origem). Essas configurações funcionam como um amplificador JFET equivalentes do amplificador comum BJT e comum -coletor (emitter-follower), respectivamente. A configuração de seguidor de origem fornece impedância de entrada extremamente alta e ganho total de tensão de unidade. (Por esta razão, é adicionalmente conhecido como seguidor de tensão).‎

‎Um amplificador de seguimento de fonte simples pode ser visualizado na figura abaixo.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 87

‎É um tipo auto-tendencioso, e a corrente de drenagem poderia ser ajustada através de um potencialiômetro R4. Este amplificador de seguidor de origem auto-tendencioso funciona usando qualquer tensão que varia de +12 a +20 volts de fornecimento. O potencialiômetro R4 deve ser ajustado para garantir que a tensão quiescente em torno do R2 seja de 5,6 volts, que fornece uma corrente de drenagem de 1 miliampere. Esta configuração pode proporcionar um ganho de tensão de aproximadamente 0,95 entre entrada e saída.‎

‎Devido à divisão de tensão na intersecção do potenteiômetro R4, o resistor e resistor R2 da série R1, um pouco de bootstrapping se desenvolve na R3.‎

‎Nesta configuração, na qual a saída é obtida a partir do emissor do JFET, a tensão de saída influencia especificamente o viés do dispositivo. Neste amplificador, pulsos negativos de saída resultam em um aumento da tensão negativa na entrada, e a saída positiva leva a uma redução da tensão negativa na entrada.‎

‎A entrada está conectada entre a fonte e o portão do JFET. O bootstrapping nesta rede aumenta o valor líquido do R3 com um fator de aproximadamente 5. A impedância de entrada do projeto é de aproximadamente 10 megohms, desviados pelo capacitor de 10 picofarads. Consequentemente, a impedância de entrada pode ser tão grande quanto 10 megohms quando as frequências são mínimas. No entanto, o valor do resistor pode reduzir para cerca de 1 megohm com frequências a 16 kHz, e ainda pode ser reduzido para aproximadamente 100 K a 160 kHz.‎

‎A próxima figura abaixo, é outra forma de amplificador de seguimento de fonte que inclui viés offset. A manipulação do resistor não é realmente necessária para este amplificador, e seu ganho de tensão líquida é de aproximadamente 0,95. O capacitor eletrolítico C2, que dá bootstrapping, aumenta o valor efetivo do resistor do portão R3 para cerca de 20 vezes.‎

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‎CIRCUITOS DE PROJETOS FET SIMPLES‎ 88

‎Dito isto, isso não é necessário para o funcionamento normal do amplificador. Tendo c2 removido do amplificador, a impedância de entrada do seguidor de origem torna-se 2,2 megohms, desviados por 10 picofarads. Tendo C2 em posição, a impedância de entrada é aumentada para cerca de 44 megohms, da mesma forma desviados por 10 picofarads. Alguns outros valores de impedância podem ser adquiridos aumentando r3 até um valor ideal de 10 megohms.‎

‎MAIS CIRCUITOS FET PODEM SER BAIXADOS NO SEGUINTE LINK‎

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