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2N3055 Folha de Dados, Pinagem, Circuitos de Aplicação

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O 2N3055 é um transistor bipolar de potência projetado para lidar com cargas de alta potência na faixa de 100 V e 15 amperes.

Neste post, discutimos de forma abrangente a função de pinagem, especificação elétrica e projetos de aplicação para o transistor de potência 2N3055.

Se você é um entusiasta da eletrônica, certamente pode ter usado esse transistor de potência muito útil e eficiente pelo menos uma vez em seus experimentos. Eu usei o transistor 2N3055 várias vezes em muitas das minhas aplicações de circuito de alta corrente sem problemas.

Principais características

  • Ganho de corrente CC ou hFE = 20 −70 @ IC = 4 Amps (Corrente do Coletor)
  • Tensão de saturação coletor-emissor − VCE(sáb) = 1,1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc
  • Excelente área de operação segura
  • Disponível com pacotes livres de Pb

Diagrama de pinagem

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Como conectar os pinos

Assim como qualquer outro npn BJT, as conexões 2N3055 também são bastante diretas. No modo de emissor comum, que é a configuração mais usada, o pino do emissor é conectado à linha de aterramento ou à linha de alimentação negativa.

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A base é conectada através do sinal de entrada através do qual o transistor precisa ser ligado ou desligado. Este sinal de comutação de entrada pode estar em qualquer lugar entre 1V e 12V idealmente. Um resistor calculado deve ser incluído em série com a pinagem base do transistor.

O valor do resistor de base dependerá das especificações de carga anexadas ao pino coletor do transistor. A fórmula básica pode ser estudada a partir deste artigo.

O pino coletor deve ser conectado com um terminal da carga, enquanto o outro terminal se conecta com a linha de alimentação positiva. As especificações de corrente de carga devem ser a qualquer custo inferiores a 15 amperes, na verdade inferiores a 14 amperes para evitar que a corrente atinja o limite de ruptura.

CLASSIFICAÇÕES MÁXIMAS E ESPECIFICAÇÕES DO TRANSISTOR 2N3055

As classificações máximas são os valores toleráveis ​​mais altos além dos quais podem ocorrer danos permanentes ao dispositivo. Essas classificações especificadas para o dispositivo são valores limite de tensão (não os critérios operacionais padrão) para o dispositivo específico e não são válidas simultaneamente.

Se esses limites forem excedidos, o dispositivo pode deixar de funcionar com suas especificações padrão, causando sérios danos ao dispositivo e também afetando seus parâmetros de confiabilidade.

  1. Tensão V do Coletor para o EmissorCER = 70 Vdc
  2. Coletor para tensão básica VCB = 100 Vcc
  3. Emissor para a tensão básica VEB = 7 Vdc
  4. Corrente de Coletor Contínuo IC = 15 Adc
  5. Corrente de Base IB = 7 Adc
  6. Dissipação de Potência Total @ TC = 25°C Derate Acima de 25°C PD = 115 W @ 0,657 W/°C
  7. Faixa de temperatura de operação e armazenamento da junção TJ, Tstg = − 65 a +200°C

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS de 2N3055

Resistência Térmica de Junção a Caixa R0JC = 1,52 C/W

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS de 2N3055(TC = 25 C, a menos que especificado de outra forma)

CARACTERÍSTICAS QUANDO O DISPOSITIVO ESTÁ DESLIGADO

  1. Tensão de sustentação coletor-emissor na corrente de coletor IC = 200 mAdc, IB = 0) VCEO(s) = 60 Vcc
  2. Tensão de sustentação coletor-emissor na corrente de coletor IC = 200 mAdc, RESTAR = 100 fi) VCER(sus) = 70 Vdc
  3. Corrente de corte do coletor (VCE = 30 Vcc, IB = 0) euCEO = 0,7 mA
  4. Corrente de corte do coletor (VCE = 100 Vcc, VSER (desligado) = 1,5 Vdc) ICEX = 1,0 mA
  5. Corrente de corte do emissor (VESTAR = 7,0 Vcc, IC = 0) euEBO = 5,0 mA

CARACTERÍSTICAS QUANDO O DISPOSITIVO ESTÁ LIGADO

  1. Ganho de corrente CC (IC = 4,0 Adc, VCE = 4,0 Vdc) (IC = 10 Adc, VCE = 4,0 Vdc) hFE = 20 a 70
  2. Tensão de saturação coletor-emissor (IC = 4,0 Adc, IB = 400 mAdc) (IC = 10 Adc, IB = 3,3 Adc) VCE(sáb) = 1,1 a 3 Vcc
  3. Base-Emissor em Tensão (IC = 4,0 Adc, VCE = 4,0 Vdc) VSER (ligado) = 1,5 Vdc

CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS

  1. Ganho de corrente – Produto de largura de banda (IC = 0,5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1,0 MHz) fT = 2,5 MHz
  2. *Ganho de corrente de pequeno sinal (IC = 1,0 Adc, VCE = 4,0 Vdc, f = 1,0 kHz) hfe = 15 a 120
  3. * Frequência de corte de ganho de corrente de pequeno sinal (VCE = 4,0 Vdc, IC = 1,0 Adc, f = 1,0 kHz) f hfe = 10 kHz
  4. *Indica dentro do Registro JEDEC. (2N3055)

O transistor vem com algumas limitações em termos de capacidade de manuseio de energia.

  1. Temperatura média da junção
  2. Queda de tensão

As curvas da área de operação segura indicam o IC − VCE limites do transistor 2N3055 que devem ser atendidos para garantir uma operação estável e livre de erros. Ou seja, o transistor não deve ser operado com níveis de dissipação maiores do que o recomendado nos traçados das curvas.

Os dados da figura abaixo é plotado enquanto TC = 25°C; TJ(pk) é variável de acordo com o nível de potência.

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Os limites do segundo pulso de ruptura são legítimos para ciclos de trabalho de até 10%, mas devem ser reduzidos para temperaturas conforme indicado na figura a seguir:

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Circuitos de Aplicação usando 2N3055

O 2N3055 é um transistor de potência NPN versátil que pode ser aplicado efetivamente para todos os circuitos de fornecimento de potência média (corrente). As poucas principais dessas aplicações estão no campo de inversores e amplificadores de potência. Devido à faixa de hFE relativamente alta, este dispositivo pode ser usado em uma ampla gama de circuitos para lidar com alta corrente com eficiência.

Sua caixa de metal TO3 torna-se ideal para conectar um grande dissipador de calor de resfriamento rápido de forma rápida e fácil, permitindo que o dispositivo funcione em suas condições mais favoráveis.

Eu tenho muitos circuitos baseados em 2N3055 neste site, prazer em apresentar alguns deles aqui.

Circuito Amplificador usando um único 2N3055

O circuito é a forma mais básica de amplificador de potência que pode ser construído usando um único BJT 2N3055.

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Embora o amplificador acima pareça muito simples de fazer, o design de baixa tecnologia força o 2N3055 a dissipar muita energia através do calor.

Para um design de amplificador mais eficiente e Hi-Fi, recomendo o seguinte mini crescendo, que talvez seja um dos circuitos amplificadores mais clássicos e eficientes usando apenas um par de transistores 2N3055. Para detalhes completos, você pode ler este artigo

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Menor inversor usando 2N3055

Tenho certeza que você já deve ter se deparado com este pequeno circuito inversor. Este circuito usa apenas dois 2N3055 e um transformador para criar um inversor de potência de 60 a 100 watts e 50 Hz razoavelmente alimentado. Um projeto ideal para todos os novos amadores e estudantes da escola.

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2N3055 FOLHA DE DADOS, PINAGEM, CIRCUITOS DE APLICAÇÃO 21

R1, R2= 100 OHMS./ 10 WATTS DE FIO

R3, R4= 15 OHMS/ 10 WATTS DE FIO

T1, T2 = 2N3055 TRANSISTORES DE POTÊNCIA

Power Inverter 100 watts usando 2N3055

Se você não estiver satisfeito com a saída de potência do projeto acima, você sempre pode atualizá-lo para um inversor de potência completo de 100 a 500 watts, usando um ou vários transistores 2N3055 em paralelo, conforme mostrado abaixo:

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Circuito de fonte de alimentação variável usando 2N3055

Uma incrível fonte de alimentação de bancada de tensão e corrente variável fácil de construir pode ser construída rapidamente usando um único transistor 2N3055 e alguns outros componentes complementares, conforme mostrado abaixo:

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Para mais descrição e lista de peças, você pode visitar este post

Carregador de bateria de 12V a 48V usando 2N3055

2N3055 CARREGADOR DE BATERIA
POR FAVOR, CONECTE UM RESISTOR DE 100 OHM 1 WATT EM SÉRIE COM A BASE DO TRANSISTOR

Este simples circuito de carregador de bateria automático baseado em 2N3055 pode ser usado para carregar qualquer bateria de chumbo-ácido de 12V a 48V.

A alta capacidade de manuseio de corrente de até 7 amperes deste dispositivo permitirá um carregamento ideal para qualquer bateria de 7 Ah a 150 Ah usando o circuito acima.

Ele tem um recurso de corte automático que nunca permitirá que a bateria fique sobrecarregada.

Conclusão

A partir da postagem acima, aprendemos as principais especificações e ficha técnica do versátil transistor potente 2N3055.

Este transistor é um BJT de potência universal que pode ser usado em quase todas as aplicações baseadas em potência mais alta, onde se espera alta corrente e comutação eficiente de corrente.

A tensão máxima que este dispositivo pode suportar é de 70V, o que parece muito impressionante, e uma corrente contínua de cerca de 15 amp, quando o dispositivo é montado sobre um dissipador de calor bem ventilado.

Também estudamos alguns circuitos de aplicação interessantes usando 2N3055 e como conectá-lo através de seu diagrama de pinagem.

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